Framleiðsluferli gegn endurskinsmynd

Tækniferli
Veittu vaxtarefni og gasheimur: Veittu vaxtarefni fyrir and -endurskinsmyndina, svo sem SIO í sumum útfærslum, en veitir gasheimildum sem samsvara vaxtarefnunum, svo sem SIH ₄, N ₂ O og N ₂ gasuppsprettu .}
Myndun andstæðingur endurspeglunarlags: Notaðu sama vaxtarefni til að mynda í röð að minnsta kosti tvö and-speglunarlög af and-spegilmyndinni á undirlagslaginu . undirlagslagið getur innihaldið SiO lag, Si lag og fjarsogslag í röðinni meðfram stefnuna sem er til umhugsunar um filmu (1}} sem tekur tveggja lags. Dæmi, það er myndað með vaxtarferli eftirlíkinga (svo sem plasma aukin efnafræðileg gufuútfellingaraðferð PECVD) . Sértæku skrefin eru eftirfarandi:
Vinnsla undirlags: Eftir að hafa hálfleiðara hreinsunarferli á undirlagslaginu skaltu setja undirlagslagið á CVD útfellingarbúnaðinn .
Stillingar búnaðar breytu: Stjórna efri rafskautshitastigi CVD útfellingarbúnaðarins að 200-300 gráðu og neðri rafskautshitastiginu til 250-350 gráðu .
Vöxtur fyrsta and -speglunarlagsins: Stilltu fyrstu útfellingarstærðirnar á CVD útfellingarbúnaðinum, þar með talið fyrsta rúmmál rennslishraðans SIH ₄, N ₂ O, og N ₂, fyrsta gasþrýstingurinn, fyrsti RF afl CVD útfellingarbúnaðarins, fyrsta þunna filmuna, osfrv. 10-200 nm og ljósbrotsvísitölu 1.4-1.71.
Vöxtur annars and -speglunarlags: Stilltu seinni útfellingarstærðir CVD útfellingarbúnaðarins, þar með talið annað rúmmál rennslishraða SIH ₄, N ₂ O, og N ₂, annar gasþrýstingur, annar RF afl CVD útfellingarbúnaðarins, annarri þunnt filmu, osfrv. af 10-200 nm og ljósbrotsvísitölu 1.4-1.71.

Tæknilegir kostir
Með því að nota sama vaxtarefni getur and -speglunarmyndin náð sömu and -speglunaráhrifum samanborið við staflað and -spegilmyndir af mismunandi efnum, dregið úr tegundum gasheimilda sem notaðar voru, lækkað erfiðleika við undirbúningsferlið og eykur undirbúningsrýmið og vinnusvæði vegna geymslu og notkunar gasheimilda meðan á undirbúningsferlinu stóð.

Framleiðsluferli Hybrid Sio ₂/Tio ₂ Anti Reflective Film

Tækniferli
Undirbúningur undirlags: Veldu gagnsæ hvarfefni eins og gler, lífrænt gler, pólýímíðfilmu, osfrv ., og framkvæma meðferð með blettaflutningi til að tryggja hreint og ryklaust yfirborð . Ef nauðsyn krefur er hægt að framkvæma einhliða eða tvíhliða fægingu til að bæta skilvirkni ljósaflutnings..
Undirbúningur forvera kvikmynda: Tetraethoxysilane (TEOS) og tetrabutyl títanat (TBT) er bætt við etanól sem inniheldur NH ₄ OH í ákveðnu hlutfalli og viðbrögðin eru haldin fyrir {}}} klukkustundir til að fá gegnsætt SOL - Gel System.}
Húðun og lækning: Tilbúna sólgelkerfið er jafnt húðað á gagnsæjum undirlaginu og hægt er að nota snúningshúð, úða, burstun og önnur kerfin . Eftir húðun er blendingur sio ₂/tio ₂ filmu undanfari settur í ofn til að lækna og annálmeðferð, mynda margra laga uppbyggingu {2}
Hringlaga húðun: Endurtaktu húðunar- og lækningaferlið þar til æskileg and -endurskinsáhrif eru fengin . mismunandi húðunartímar og raðir munu hafa áhrif á frammistöðu andstæðinga endurskinsmynda og rannsóknir og hagræðingu eru nauðsynlegar .
Yfirborðsmeðferð: Til að auka endingu og stöðugleika and -endurskinsmyndarinnar er hægt að húða lag af vatnsfælnum og vatnsfælnum fjölliða á yfirborði and -endurskinsmyndarinnar .

Framleiðsluferli innrautt and -endurskinsmynd
Tækniferli
Innrauða andstæðingur endurspeglunarmynd er byggð á sílikoni og húðuð með and -spegilmyndum á báðum hliðum undirlagsins . uppbygging kvikmyndakerfisins andstæðingurinn er óháð hvor annarri sem (Hl) ^ s, þar sem h táknar Si lagið, L táknar Sio lagið, S {{{{1 Si lag er við hlið undirlagsins og SiO lagið er staðsett á yfirborðinu . húðunarferlinu er notað til að festa kvikmyndalagið við undirlagið, með SiO filmu laginu sem ysta lagið, sem hefur mikla yfirborð, Sio þarf ekki að draga úr hlífðarlagi, sem getur dregið úr yfirborðinu og dregið úr því sem er hægt að draga úr uppbyggingu og sem getur dregið úr því að það geti dregið úr uppstreymi. Transmittance .

Framleiðsluferli háhitaþolinna CO ₂ leysir gegn endurskinsmynd
Tækniferli
Efni fyrir bráðnun: Aðskilin meðferð fyrir bráðnun er framkvæmd á Yttrium flúoríði, kalsíum yttrium flúoríði og sink seleníð kvikmyndaefni til að fjarlægja óhreinindi í kvikmyndinni .
Útfærslufilmulag: fyrsta Yttrium flúoríðlagið, Yttrium kalsíumflúoríðlagið, sink seleníðlagið og annað Yttrium flúoríðlag er sett í röð á sink seleníð undirlagslaga með þykkt 3 ± 0 . 1mm með loftgufun {.} umfjöllunin er yfir 95%. Yfirborð undirlagslagsins . Líkamleg þykktarkröfur fyrir hvert lag eru eftirfarandi: Líkamleg þykkt fyrsta Yttrium flúoríðlagsins er 95-100 nanómetrar; Líkamleg þykkt Ytterbium kalsíumflúoríðlagsins er 860-870 nanómetrar; Líkamleg þykkt sink seleníðlagsins er 240-250 nanómetrar; Líkamleg þykkt annars Yttrium flúoríðlagsins er 95-100 nanómetrar.
 

Tæknilegir kostir
The prepared anti reflection membrane has a simple structure and exquisite design. The four layer combination has the characteristics of high temperature resistance, high transmittance, firm membrane layer, complementary stress between membrane layers, and non rupture of membrane layers. It can meet the continuous operation of components under high temperature conditions, and the materials used in each layer are non radioactive, which will ekki valda skemmdum á rekstraraðilum og umhverfi .